Selective area laser deposition of FCC beta silicon carbide
Selective area laser deposition of FCC beta silicon carbide
复制标题
FCC β 碳化硅的选区激光沉积
DOI：
10.1002/crat.201600089
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发表时间：
2016
影响因子：
1.5
通讯作者：
Paul J
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Paul J
以四甲基硅烷（TMS）为前驱体，通过热分解在氧化铝基体上沉积碳化硅（SiC）。一个500 W的镱光纤激光器被用来加热的氧化铝基板的表面局部，导致在样品表面的SiC的沉积。使用能量色散X射线光谱和X射线衍射（XRD）分析SiC存款。该存款被证实是碳化硅，并发现是面心立方（FCC）晶体结构。使用拉曼光谱来测量最初发现富碳的存款的化学计量。通过拉曼光谱法的进一步分析表明，在空气气氛中在600摄氏度下对样品进行两小时热处理后，存款可能更具化学计量。
Silicon Carbide (SiC) has been deposited onto an alumina substrate by the thermal decomposition of the gaseous precursor tetramethylsilane (TMS). A 500 W ytterbium fibre laser was used to heat the surface of an alumina substrate locally, resulting in deposition of SiC at the sample surface. The SiC deposit was analysed using energy dispersive X‐ray spectroscopy and X‐ray diffraction (XRD). The deposit was confirmed to be silicon carbide and found to be face centre cubic (FCC) crystal structure. Raman spectroscopy was used to measure the stoichiometry of the deposit which initially was found to be carbon rich. Further analysis by Raman spectroscopy suggests the deposit may be more stoichiometric following a two hour thermal treatment of the sample at 600 degrees celcius in an atmosphere of air.
通过选区激光沉积进行多材料固体自由形状制造
DOI：
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发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Jakubenas;Juan M. Sanchez;H. Marcus
通讯作者：
H. Marcus
低压射频感应加热化学气相沉积反应器中热解四甲基硅烷在Si上生长3C-SiC的动力学研究
DOI：
--
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
Kwang Chul Kim;K. Nahm;Y. Hahn;Y. Lee;Hun‐Soo Byun
通讯作者：
Hun‐Soo Byun
SiC 的气相选择性区域激光沉积 (SALD) 接合
DOI：
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发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Harrison;H. Marcus
通讯作者：
H. Marcus