Etching characteristics of high-k dielectric HfO_2 thin films in inductively coupled fluorocarbon plasmas
Etching characteristics of high-k dielectric HfO_2 thin films in inductively coupled fluorocarbon plasmas
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电感耦合氟碳等离子体中高k介质HfO_2薄膜的刻蚀特性
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Setsuhara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Takahashi;K.Ono;Y.Setsuhara
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BCl3/Cl2 等离子体中 ZrO2 对 Si 的等离子体蚀刻选择性
DOI：
10.1116/1.1615975
发表时间：
2003
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子：
--
作者：
Lin Sha;Jane P. Chang
通讯作者：
Jane P. Chang
等离子体蚀刻中 SiO2 和 Si 相对蚀刻速率的控制
DOI：
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发表时间：
1975
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. Heinecke
通讯作者：
R. Heinecke
DOI：
10.1143/jjap.35.2488
发表时间：
1996-04-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
影响因子：
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作者：
Hayashi, H;Kurihara, K;Sekine, M
通讯作者：
Sekine, M
影响因子：
1.4
作者：
Tatsumi, T;Matsui, M;Sekine, M
通讯作者：
Sekine, M
直径范围为 0.05 µm 的超高深宽比接触孔蚀刻中的垂直轮廓控制
影响因子：
1.5
作者：
N. Ikegami;A. Yabata;G. Liu;H. Uchida;N. Hirashita;J. Kanamori
通讯作者：
J. Kanamori