A high electron mobility phonotransistor
A high electron mobility phonotransistor
复制标题
高电子迁移率声波晶体管
DOI：
10.1038/s42005-018-0059-7
复制
发表时间：
2018
影响因子：
5.5
通讯作者：
Poyser C
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Poyser C
声电装置将声能转换成电能，反之亦然。工作在比现有设备高得多的声频的设备具有潜在的科学和技术应用，例如，作为声子实验中的探测器和作为太赫兹频率的体声波滤波器中的换能器。在这里，我们展示了一个有源的声电子器件的基础上的GaAs异质结：声门控晶体管或phonostransuctor。代替如在高电子迁移率晶体管（HEMT）中通过施加到金属或半导体栅极的电信号以常规方式控制，漏极-源极电流由在垂直于电流流动的方向上穿过沟道的体亚太赫兹声波控制。
Acoustoelectric devices convert acoustic energy to electrical energy and vice versa. Devices working at much higher acoustic frequencies than those currently available have potential scientific and technological applications, for example, as detectors in phononics experiments and as transducers in bulk acoustic wave filters at terahertz (THz) frequencies. Here we demonstrated an active acoustoelectronic device based on a GaAs heterostructure: an acoustically gated transistor or phonotransistor. Instead of being controlled in the conventional manner by an electrical signal applied to a metallic or semiconductor gate as in a high electron mobility transistor (HEMT), the drain-source current was controlled by a bulk sub-THz acoustic wave passing through the channel in a direction perpendicular to the current flow.
登录
查看更多内容
纳米机械共振对电泵量子点微柱发射激光的影响
影响因子：
4
作者：
T. Czerniuk;J. Tepper;A.V. Akimov;S. Unsleber;C. Schneider;M. Kamp;S. Höfling;D.R. Yakovlev;M. Bayer
通讯作者：
M. Bayer
影响因子：
4.2
作者：
E. Péronne;B. Perrin
通讯作者：
B. Perrin
影响因子：
3.3
作者：
C. Poyser;A. Akimov;A. Balanov;R. Campion;A. Kent
通讯作者：
C. Poyser;A. Akimov;A. Balanov;R. Campion;A. Kent
表面声波调制 GaAs/AlAs 量子阱的光致发光动力学
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics 46
影响因子：
--
作者：
T. Sogawa;H. Sanada;H. Gotoh;H. Yamaguchi;S. Miyashita,;P.V. Santos
通讯作者：
P.V. Santos
影响因子：
3.7
作者：
Dehoux, Thomas;Wright, Oliver B.;Gusev, Vitalyi E.
通讯作者：
Gusev, Vitalyi E.