1.28μm lasing from stacked InAs∕GaAs quantum dots with low-temperature-grown AlGaAs cladding layer by metalorganic chemical vapor deposition
1.28μm lasing from stacked InAs∕GaAs quantum dots with low-temperature-grown AlGaAs cladding layer by metalorganic chemical vapor deposition
复制标题
采用金属有机化学气相沉积法，采用低温生长 AlGaAs 包层堆叠 InAs∕GaAs 量子点发射 1.28μm 激光
DOI：
10.1063/1.1857075
复制
发表时间：
2005
影响因子：
4
通讯作者：
A. Kuramata
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. Tatebayashi;N. Hatori;M. Ishida;H. Ebe;M. Sugawara;Y. Arakawa;H. Sudo;A. Kuramata
采用金属有机化学气相沉积方法，研究了低温生长的Al0.4Ga0.6As层包覆InAs∕GaAs堆叠量子点激光器的器件特性。当退火温度低于570℃时，由生长后退火引起的发射能量蓝移可以被抑制。在560°C生长p包层的In0.13Ga0.87As应变还原层中，实现了5层堆叠的InAs∕GaAs量子点在室温下的1.28μm连续激光。从制备的量子点激光器的增益谱的实验和计算中可以看出，所观察到的激光来自于堆叠的InAs量子点的第一激发态。
We report the device characteristics of stacked InAs∕GaAs quantum-dot lasers cladded by Al0.4Ga0.6As layer grown at a low temperature by metalorganic chemical vapor deposition. A blueshift in emission energy by the effect of postgrowth annealing can be suppressed when the annealing temperature is below 570°C. We achieved the 1.28μm continuous-wave lasing at room temperature of five layer stacked InAs∕GaAs quantum dots embedded in In0.13Ga0.87As strain-reducing layer whose p-cladding layer is grown at 560°C. From the experiments and calculations of the gain spectra of fabricated quantum-dot lasers, the observed lasing originates from the first excited state of stacked InAs quantum dots.
DOI：
10.1143/jjap.43.l1124
发表时间：
2004-08-15
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
影响因子：
--
作者：
Otsubo, K;Hatori, N;Arakawa, Y
通讯作者：
Arakawa, Y
影响因子：
4
作者：
ARAKAWA, Y;SAKAKI, H
通讯作者：
SAKAKI, H
通过生长后退火对堆叠 InAs 量子点的金属有机化学气相沉积效应生长的 In/GaAs 自组装量子点激光器
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
Applied Physics Letters 85・6
影响因子：
--
作者：
J.Tatebayashi;Y.Arakawa;N.Hatoi;H.Ebe;M.Sugawara;H.Sudo;A.Kuramata
通讯作者：
A.Kuramata