In/GaAs self-assembled quantum dot lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition effects of postgrowth annealing onstacked InAs quantum dots
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通过生长后退火对堆叠 InAs 量子点的金属有机化学气相沉积效应生长的 In/GaAs 自组装量子点激光器
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A.Kuramata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.Tatebayashi;Y.Arakawa;N.Hatoi;H.Ebe;M.Sugawara;H.Sudo;A.Kuramata
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通过分子束外延在 GaAs 上生长的紧密堆叠 InAs 岛的自组装结构
影响因子：
1.8
作者：
Y. Nakata;Y. Sugiyama;T. Futatsugi;N. Yokoyama
通讯作者：
N. Yokoyama
影响因子：
4
作者：
ARAKAWA, Y;SAKAKI, H
通讯作者：
SAKAKI, H
通过生长诱导孤岛制造垂直排列量子点多层发光二极管的电致发光
影响因子：
4
作者：
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通讯作者：
J. Harris
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影响因子：
4
作者：
A. Zhukov;A. Kovsh;N. Maleev;S. Mikhrin;V. Ustinov;A. F. Tsatsul'nikov;M. Maximov;B. V. Volovik;D. A. Bedarev;Y. Shernyakov;P. Kop’ev;Z. Alferov;N. Ledentsov;D. Bimberg
通讯作者：
D. Bimberg
InAs 量子点的区域控制生长以及密度和尺寸分布的改善
影响因子：
4
作者：
J. Tatebayashi;M. Nishioka;T. Someya;Y. Arakawa
通讯作者：
Y. Arakawa