MBE growth and TEM analyses in Mn-Ge-P compounds
MBE growth and TEM analyses in Mn-Ge-P compounds
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Mn-Ge-P 化合物的 MBE 生长和 TEM 分析
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
N.Kuwano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Minami;A.D.Bouravleuv;Y.Sato;T.Ishibashi;N.Kuwano
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新型黄铜矿型三元化合物MnGeP_2的MBE生长
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
J. Phys. Chem. Solids 66[11]
影响因子：
--
作者：
K.Sato;T.Ishibashi;K.Minami;H.Yuasa;J.Jogo;T.Nagatsuka;A.Mizusawa;Y.Kangawa;A.Koukitu
通讯作者：
A.Koukitu
黄铜矿半导体的磁性：Cd1-xMnxGeP2
影响因子：
3.7
作者：
Yu;W. Geng;A. Freeman;T. Oguchi
通讯作者：
T. Oguchi
黄铜矿半导体 CdGeP2:Mn 中揭示的铁磁现象
DOI：
10.1063/1.1357842
发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
作者：
Katsuaki Sato;G. A. Medvedkin;T. Nishi;Y. Hasegawa;R. Misawa;K. Hirose;T. Ishibashi
通讯作者：
T. Ishibashi
新型铁磁半导体 CdGeP2:Mn 的磁和磁光特性
DOI：
10.3379/jmsjmag.25.283
发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
作者：
Katsuaki Sato;G. A. Medvedkin;K. Hayata;Y. Hasegawa;T. Nishi;R. Misawa;T. Ishibashi
通讯作者：
T. Ishibashi
新型稀磁半导体CdGeP 2 : Mn和ZnGeP 2 : Mn的电子结构和磁性
影响因子：
1.6
作者：
T. Kamatani;Hisazumi Akai
通讯作者：
Hisazumi Akai