III-V/Ge integration on Si platform for electronic-photonic integrated circuits
III-V/Ge integration on Si platform for electronic-photonic integrated circuits
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用于电子光子集成电路的 Si 平台上的 III-V/Ge 集成
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Takenaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xinqiang WANG;et al.;M. Takenaka
InP光子线波导采用InAlAs氧化物包覆层。
影响因子：
3.8
作者：
M. Takenaka;Y. Nakano
通讯作者：
Y. Nakano