Fabrication of submicron planar Gunn diode
Fabrication of submicron planar Gunn diode
复制标题
亚微米平面耿氏二极管的制造
DOI：
10.1109/iciprm.2014.6880542
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Khalid A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Khalid A
InGaAs 耿氏振荡器
影响因子：
1.1
作者：
W. Kowalsky;A. Schlachetzki
通讯作者：
A. Schlachetzki