Effect of Synthesis Procedure on Thermoelectric Property of SiGe Alloy
Effect of Synthesis Procedure on Thermoelectric Property of SiGe Alloy
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合成工艺对硅锗合金热电性能的影响
DOI：
10.1007/s11664-018-6334-2
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发表时间：
2018-05
影响因子：
2.1
通讯作者：
Yongchun Xiang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jing Li;Jun Han;Tao Jiang;Lili Luo;Yongchun Xiang
采用球磨结合热压（HP）或放电等离子烧结（SPS）的方法合成了SiGe热电材料。研究了球磨时间、粉球比和烧结方式对SiGe材料微观结构和热电性能的影响。结果表明，球磨时间越长，材料的致密度越低，电性能越差。在烧结过程中，SPS导致比HP更大的密度和更好的电性能。采用2 h球磨结合SPS制备的Si 0.795 Ge 0.2 B 0.005样品在860 K时获得了3.0 mW m−1K− 2的最大功率因数，1000 K时的ZT为0.95。
SiGe thermoelectric material has been synthesized by ball milling combined with hot pressing (HP) or spark plasma sintering (SPS). Effects of ball milling time, powder to ball weight ratio and sintering method on microstructure and thermoelectric properties of SiGe are studied. The results show that longer ball milling time leads to decreased density and worse electrical properties. In the sintering process, SPS results in much larger density and better electrical properties than HP. The Si0.795Ge0.2B0.005sample prepared by 2 h ball milling combined with SPS obtains a maximum power factor of 3.0 mW m−1K−2at 860 K andZTof 0.95 at 1000 K.
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