Influence of substrate polarity on the low-temperature GaN buffer layer growth on GaAs (111)A and (111)B surfaces
Influence of substrate polarity on the low-temperature GaN buffer layer growth on GaAs (111)A and (111)B surfaces
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衬底极性对GaAs(111)A和(111)B表面低温GaN缓冲层生长的影响
DOI：
10.1016/s0022-0248(02)01979-6
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发表时间：
2003
影响因子：
1.8
通讯作者：
A. Koukitu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Murakami;Y. Kumagai;H. Seki;A. Koukitu
Y.KUMAGAI：“通过金属有机氯化氢气相外延在 GaAs (111) A 表面上生长厚六方 GaN 层以实现独立式 GaN”Jpn.J.Appl.Phys.. 39. L703-L706 (2000)
DOI：
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发表时间：
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期刊：
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作者：
通讯作者：
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