Y.KUMAGAI: "Growth of Thick Hexagonal GaN Layer on GaAs (111) A Surfaces for Freestanding GaN by Metalorganic Hydrogen Chloride Vapor Phase Epitaxy"Jpn.J.Appl.Phys.. 39. L703-L706 (2000)
Y.KUMAGAI: "Growth of Thick Hexagonal GaN Layer on GaAs (111) A Surfaces for Freestanding GaN by Metalorganic Hydrogen Chloride Vapor Phase Epitaxy"Jpn.J.Appl.Phys.. 39. L703-L706 (2000)
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Y.KUMAGAI：“通过金属有机氯化氢气相外延在 GaAs (111) A 表面上生长厚六方 GaN 层以实现独立式 GaN”Jpn.J.Appl.Phys.. 39. L703-L706 (2000)
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
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作者：
升华法制备的块状 GaN 上生长的同质外延 GaN 的光泵受激发射
DOI：
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发表时间：
1996
期刊：
影响因子：
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作者：
S. Kurai;Y. Naoi;Toshimi Abe;Susumu Ohmi;S. Sakai
通讯作者：
S. Sakai
1000°C 卤化物气相外延在 GaAs (111) 衬底上生长厚且光滑的六方 GaN
DOI：
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发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
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作者：
F. Hasegawa;M. Minami;K. Sunaba;T. Suemasu
通讯作者：
T. Suemasu