Ab initio investigation of charge transfer technique for control of Schottky contacts in CNTs
Ab initio investigation of charge transfer technique for control of Schottky contacts in CNTs
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用于控制碳纳米管肖特基接触的电荷转移技术的从头算研究
DOI：
10.1007/s10854-007-9117-8
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Casterman D
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Casterman D
利用从头算密度泛函理论（DFT）研究了用sbcl6掺杂p型钯接触碳纳米管场效应晶体管（cntfet）的电荷转移机理。sbcl6与(100)-Pd表面的相互作用导致氯原子的吸附，氯原子从再杂化的SbCl5上剥离，降低了Pd的功函数。sbcl6与不同直径的碳纳米管的相互作用表明，在从碳纳米管获得电子进行中和后，sbcl6分子从碳纳米管表面被排斥。带结构计算表明，这种电荷交换使纳米管成为p型掺杂。因此，这两种相互作用都有助于增强从Pd到碳纳米管的空穴注入。
The mechanism of charge transfer for doping p-type Palladium-contacted Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs) using SbCl6is investigated via ab initio Density Functional Theory (DFT). The interaction of SbCl6with a (100)-Pd surface leads to an adsorption of a Chlorine atom, which peels off from a rehybridized SbCl5, lowering the workfunction of Pd. The interaction of SbCl6with carbon nanotube having different diameters shows that the molecule is repulsed from the surface of the nanotube, after acquiring an electron from the CNT for neutralization. The band structure calculation reveals that this exchange of charge enables the nanotube to be doped p-type. Hence both interactions serve to enhance injection of holes from Pd to the CNT.
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