Improvements of epitaxial quality and stress state of GaN grown on SiC by in situ SiNx interlayer
Improvements of epitaxial quality and stress state of GaN grown on SiC by in situ SiNx interlayer
复制标题
原位SiNx中间层在SiC上生长GaN的外延质量和应力状态的改善
DOI：
10.1007/s10854-016-5071-7
复制
发表时间：
2016-06
影响因子：
2.8
通讯作者：
Du, Guotong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chang, Yuchun;Song, Junfeng;Zhang, Baolin;Du, Guotong
本文采用金属有机物化学气相沉积法在6 H-SiC衬底上制备了厚度为4.5 μm的GaN薄膜，并采用AlxGa 1 −xN/AlN梯度缓冲层和SiNx过渡层。为了确定SiNx中间层对外延质量和应力的影响，
AbstractIn this study, 4.5 μm thick GaN films with graded AlxGa1−xN/AlN buffer and SiNx interlayer were prepared on 6H–SiC substrates by metal–organic chemical vapor deposition. To determine the effects of SiNx interlayer on epitaxial quality and stress s
登录
查看更多内容
DOI：
10.1007/s10854-015-3948-5
发表时间：
2016-02
期刊：
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
影响因子：
--
作者：
Zhen Huang;Yuantao Zhang;Baijun Zhao;Fan Yang;Junyan Jiang;Gaoqiang Deng;Baozhu Li;H. Liang
通讯作者：
Zhen Huang;Yuantao Zhang;Baijun Zhao;Fan Yang;Junyan Jiang;Gaoqiang Deng;Baozhu Li;H. Liang
影响因子：
1.8
作者：
Taniyasu, Yoshitaka;Kasu, Makoto;Makimoto, Toshiki
通讯作者：
Makimoto, Toshiki
影响因子：
3.2
作者：
M. Ferdous;X. Sun;X. Wang;Michael N. Fairchild;S. Hersee
通讯作者：
M. Ferdous;X. Sun;X. Wang;Michael N. Fairchild;S. Hersee
影响因子：
1.8
作者：
F. Schubert;S. Zybell;J. Heitmann;T. Mikolajick;S. Schmult
通讯作者：
F. Schubert;S. Zybell;J. Heitmann;T. Mikolajick;S. Schmult
影响因子：
3.2
作者：
Li, Yang;Chen, Shengchang;Chen, Changqing
通讯作者：
Chen, Changqing