High frequency properties of a planar ion trap fabricated on a chip.
High frequency properties of a planar ion trap fabricated on a chip.
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在芯片上制造的平面离子阱的高频特性。
DOI：
10.1063/5.0091745
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Uribe AJ
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Uribe AJ
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DOI：
10.1088/1361-6455/abfeda
发表时间：
2021
期刊：
Journal of Physics B: Atomic, Molecular and Optical Physics
影响因子：
--
作者：
F. Crimin;B. Garraway;J. Verdú
通讯作者：
F. Crimin;B. Garraway;J. Verdú
用于芯片离子阱的平面强磁场源。
DOI：
10.1063/5.0024735
发表时间：
2020
期刊：
The Review of scientific instruments
影响因子：
--
作者：
Pinder J
通讯作者：
Pinder J
影响因子：
2.4
作者：
Cridland A
通讯作者：
Cridland A
DOI：
10.1016/0168-1176(84)85061-2
发表时间：
1984-01-01
期刊：
INTERNATIONAL JOURNAL OF MASS SPECTROMETRY AND ION PROCESSES
影响因子：
--
作者：
GABRIELSE, G;MACKINTOSH, FC
通讯作者：
MACKINTOSH, FC
用于射频应用的铌和铌钛氮化物
影响因子：
1.8
作者：
P. Fabbricatore;G. Gemme;R. Musenich;R. Parodi;M. Viviani;B. Zhang;V. Buscaglia
通讯作者：
V. Buscaglia