Trap‐Related Breakdown and Filamentary Conduction in Carbon Doped GaN
Trap‐Related Breakdown and Filamentary Conduction in Carbon Doped GaN
复制标题
碳掺杂 GaN 中与陷阱相关的击穿和丝状传导
DOI：
10.1002/pssb.201800527
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
D. Pogany
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Koller;G. Pobegen;C. Ostermaier;G. Hecke;R. Neumann;M. Holzbauer;G. Strasser;D. Pogany
研究了嵌入在顶部金属电极和底部n掺杂GaN（n-GaN）之间的薄碳掺杂GaN层（GaN：C;碳浓度1019 cm−3）中的击穿现象。当在顶部电极处上下缓慢地扫描正偏置V时，发现在电压Vbd，up和Vbd，down（
A breakdown phenomenon is studied in thin carbon doped GaN layers (GaN:C; carbon concentration 1019 cm−3) embedded between a top metal electrode and bottom n‐doped GaN (n‐GaN). When slowly sweeping positive bias V at the top electrode up and down, a hysteresis is found with transitions to on‐ and off‐states at voltages Vbd,up and Vbd,down (
影响因子：
3.1
作者：
Uren, Michael J.;Moereke, Janina;Kuball, Martin
通讯作者：
Kuball, Martin
影响因子：
4
作者：
Uren, Michael J.;Caesar, Markus;Kuball, Martin
通讯作者：
Kuball, Martin