Polycomb Protein Eed is Required for Neurogenesis and Cortical Injury Activation in the Subventricular Zone.
Polycomb Protein Eed is Required for Neurogenesis and Cortical Injury Activation in the Subventricular Zone.
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DOI：
10.1093/cercor/bhx289
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发表时间：
2018-04-01
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Szele FG
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sun B;Chang E;Gerhartl A;Szele FG
出生后脑室下区 (SVZ) 蕴藏着神经干细胞 (NSC)，具有强大的神经发生能力。然而，维持神经干细胞和调节神经发生的表观遗传机制仍不清楚。我们报告保留标签的 SVZ NSC 表达 Eed，这是 Polycomb 抑制复合物 2 的核心成分。体内和体外条件敲除和敲低表明 Eed 对于维持 NSC 增殖、神经发生和神经球形成是必需的。我们发现 Eed 通过抑制 Gata6 转录来维持 NSC 中 p21 蛋白水平。 Gata6 过表达和 p21 敲低都会减少神经发生，而 Gata6 敲低或 p21 过表达可以部分挽救 Eed 丢失后的神经发生。此外，Eed 的基因缺失损害损伤诱导 SVZ 增殖和迁移。这些数据揭示了一种新的表观遗传调控途径，并表明 Eed 在 SVZ 稳态和损伤中发挥重要作用。
The postnatal subventricular zone (SVZ) harbors neural stem cells (NSCs) that exhibit robust neurogenesis. However, the epigenetic mechanisms that maintain NSCs and regulate neurogenesis remain unclear. We report that label-retaining SVZ NSCs express Eed, the core component of Polycomb repressive complex 2. In vivo and in vitro conditional knockout and knockdown show Eed is necessary for maintaining NSC proliferation, neurogenesis and neurosphere formation. We discovered that Eed functions to maintain p21 protein levels in NSCs by repressing Gata6 transcription. Both Gata6 overexpression and p21 knockdown reduced neurogenesis, while Gata6 knockdown or p21 overexpression partially rescued neurogenesis after Eed loss. Furthermore, genetic deletion of Eed impaired injury induced SVZ proliferation and emigration. These data reveal a novel epigenetic regulated pathway and suggest an essential role for Eed in SVZ homeostasis and injury.
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DOI：
10.1038/nrm3591
发表时间：
2013-06
期刊：
Nature reviews. Molecular cell biology
影响因子：
--
作者：
通讯作者：
--
影响因子：
7.7
作者：
Hwang WW;Salinas RD;Siu JJ;Kelley KW;Delgado RN;Paredes MF;Alvarez-Buylla A;Oldham MC;Lim DA
通讯作者：
Lim DA
影响因子：
6.2
作者：
Mori, Tetsuji;Tanaka, Kohichi;Goetz, Magdalena
通讯作者：
Goetz, Magdalena
影响因子：
4.8
作者：
Liang, QR;De Windt, LJ;Molkentin, JD
通讯作者：
Molkentin, JD
影响因子：
16.2
作者：
Codega P;Silva-Vargas V;Paul A;Maldonado-Soto AR;Deleo AM;Pastrana E;Doetsch F
通讯作者：
Doetsch F