High-power InP quantum dot based semiconductor disk laser exceeding 1.3 W
High-power InP quantum dot based semiconductor disk laser exceeding 1.3 W
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超过1.3W的高功率InP量子点半导体盘激光器
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
P. Michler
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Schwarzbäck;R. Bek;F. Hargart;C. Kessler;H. Kahle;E. Koroknay;M. Jetter;P. Michler
本文报道了一种以InP量子点为活性材料的光泵浦半导体激光器（OP-SDL）。量子点生长在[（Al 0.1Ga 0.9）0.52In 0.48] 0.5P 0.5（abbr. Al0.1GaInP）势垒，以便实现约655 nm的发射波长。我们目前的光学研究的有源区显示典型的量子点的行为，如蓝移随着激发功率的增加和单发射线，这表明在强度自相关测量反聚束。在低发射波长λ 654 nm处，OP-SDL的最大输出功率为1.39 W，斜率效率ηdiff= 25.4%。
We demonstrate an optically pumped semiconductor disk laser (OP-SDL) using InP quantum dots (QDs) as active material fabricated by metal-organic vapor-phase epitaxy. The QDs are grown within [(Al0.1Ga0.9)0.52In0.48]0.5P0.5 (abbr. Al0.1GaInP) barriers in order to achieve an emission wavelength around 655 nm. We present optical investigations of the active region showing typical QD behavior like blue shift with increasing excitation power and single emission lines, which show anti-bunching in an intensity auto-correlation measurement. We report maximum output powers of the OP-SDL of 1.39 W at low emission wavelength of ∼654 nm with a slope efficiency of ηdiff=25.4 %.
InP/AlGaInP 量子点半导体盘激光器，用于 716 - 755 nm 的 CW TEM00 发射。
影响因子：
3.8
作者：
Schlosser PJ
通讯作者：
Schlosser PJ
影响因子：
11
作者：
S. Calvez;J. Hastie;M. Guina;O. Okhotnikov;M. Dawson
通讯作者：
S. Calvez;J. Hastie;M. Guina;O. Okhotnikov;M. Dawson