Raman study of semiconductor clathrates under high pressure
Raman study of semiconductor clathrates under high pressure
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高压下半导体包合物的拉曼研究
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Kume et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Shimizu;et. al.;H.Shimizu et al.;T.Kume et al.
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I型锗包合物的高压拉曼研究
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
Phys. stat. solidi(b) 244・1
影响因子：
--
作者：
H. Shimizu;et. al.;H.Shimizu et al.;T.Kume et al.;H.Shimizu et al.;T.Fukushima et al.
通讯作者：
T.Fukushima et al.
通过拉曼散射测定硅包合物的 GRIINEISEN 参数
影响因子：
3.7
作者：
Y. Guyot;L. Grosvalet;B. Champagnon;E. Reny;C. Cros;M. Pouchard
通讯作者：
M. Pouchard
影响因子：
1.4
作者：
Carrillo-Cabrera, W;Budnyk, S;Grin, Y
通讯作者：
Grin, Y
Ba 掺杂硅包合物 Ba_<24>Si_<100> 高达 27 GPa 的高压拉曼研究
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Physical Review B 71・9(印刷中)
影响因子：
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作者：
H.Shimizu;T.Kume et al.
通讯作者：
T.Kume et al.
影响因子：
1.8
作者：
A. Miguel;A. Merlen;P. Toulemonde;T. Kume;S. Floch;A. Aouizerat;S. Pascarelli;G. Aquilanti;O. Mathon;T. Bihan;J. Itié;S. Yamanaka
通讯作者：
A. Miguel;A. Merlen;P. Toulemonde;T. Kume;S. Floch;A. Aouizerat;S. Pascarelli;G. Aquilanti;O. Mathon;T. Bihan;J. Itié;S. Yamanaka