Optical studies on InAs/InGaAs/GaNAs strain-compensated quantumdots grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy
Optical studies on InAs/InGaAs/GaNAs strain-compensated quantumdots grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy
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分子束外延在GaAs(001)上生长的InAs/InGaAs/GaNAs应变补偿量子点的光学研究
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yoshitaka Okada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ayami Takata;Ryuji Oshima;Yasushi Shoji;Yoshitaka Okada
GaN 作为 InAs 量子点 1.55 µm 光发射的应变补偿层
影响因子：
1.5
作者：
S. Ganapathy;Xi Zhang;I. Suemune;K. Uesugi;H. Kumano;B. J. Kim;T. Seong
通讯作者：
T. Seong
影响因子：
4
作者：
ARAKAWA, Y;SAKAKI, H
通讯作者：
SAKAKI, H
GaAs(001)上多层InAs/GaNAs应变补偿量子点的生长
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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作者：
Ayami Takata;Ryuji Oshima;Yasushi Shoji;Yoshitaka Okada
通讯作者：
Yoshitaka Okada