Impact of the layout on the electrical characteristics of double-sided silicon 3D sensors fabricated at FBK
Impact of the layout on the electrical characteristics of double-sided silicon 3D sensors fabricated at FBK
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布局对 FBK 制造的双面硅 3D 传感器电气特性的影响
DOI：
10.1016/j.nima.2012.04.080
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发表时间：
2013
影响因子：
1.4
通讯作者：
N. Zorzi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Povoli;A. Bagolini;M. Boscardin;G. Betta;G. Giacomini;F. Mattedi;E. Vianello;N. Zorzi
我们报告的实验结果和TCAD模拟解决布局的影响，双面3D二极管的电气特性布鲁诺凯斯勒基金会（FBK），特伦托，意大利制造。仿真结果准确地再现了器件的特性，从而解释了不同器件的击穿行为和电容的基本机制，并为布局优化提供了有用的提示。
We report on experimental results and TCAD simulations addressing the impact of layout on the electrical characteristics of double-sided 3D diodes fabricated at Fondazione Bruno Kessler (FBK), Trento, Italy. Simulations are found to accurately reproduce the device characteristics, thus explaining the basic mechanisms governing the breakdown behavior and capacitance of different devices and providing useful hints for layout optimization.
3D 有源边缘硅传感器：ATLAS-IBL 生产的设备处理、产量和质量保证
DOI：
10.1016/j.nima.2012.05.070
发表时间：
2013
期刊：
Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
影响因子：
--
作者：
Da Vià C
通讯作者：
Da Vià C