3D active edge silicon sensors: Device processing, yield and QA for the ATLAS-IBL production
3D active edge silicon sensors: Device processing, yield and QA for the ATLAS-IBL production
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3D 有源边缘硅传感器：ATLAS-IBL 生产的设备处理、产量和质量保证
DOI：
10.1016/j.nima.2012.05.070
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Da Vià C
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Da Vià C
3D硅传感器已在欧洲和美国的工厂成功制造，这种传感器使用等离子体微加工在硅衬底上刻蚀深深的窄孔，形成PIN结的电极。2011年，该技术经历了鉴定过程，以确定其在CERN-LHC ATLAS实验中用于构建顶点检测的像素层、可插入B层(IBL)的中等规模生产的成熟度。IBL协作遵循审查小组建议，决定完成平面和3D传感器的生产，并赞同为混合IBL传感器方案建造足够的模块的提议，在这种方案中，25%的3D模块填充每个阶梯的前部和后部。平面传感器的生产还将使IBL的覆盖率达到100%，以防需要这种选择。本文将描述成功生产3D传感器的加工策略、在生产前阶段执行的一些质量保证(QA)测试以及到目前为止的生产成品率。
3D silicon sensors, where plasma micromachining is used to etch deep narrow apertures in the silicon substrate to form electrodes of PIN junctions, were successfully manufactured in facilities in Europe and USA. In 2011 the technology underwent a qualification process to establish its maturity for a medium scale production for the construction of a pixel layer for vertex detection, the Insertable B-Layer (IBL) at the CERN-LHC ATLAS experiment. The IBL collaboration, following that recommendation from the review panel, decided to complete the production of planar and 3D sensors and endorsed the proposal to build enough modules for a mixed IBL sensor scenario where 25% of 3D modules populate the forward and backward part of each stave. The production of planar sensors will also allow coverage of 100% of the IBL, in case that option was required. This paper will describe the processing strategy which allowed successful 3D sensor production, some of the Quality Assurance (QA) tests performed during the pre-production phase and the production yield to date.
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影响因子：
1.8
作者：
Kenney, C;Parker, S;Storment, C
通讯作者：
Storment, C
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10.1109/nssmic.2011.6154334
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--
作者：
A. Kok;M. Boscardin;G. Betta;C. D. Vià;G. Darbo;C. Fleta;T. Hansen;J. Hasi;C. Kenney;N. Lietaer;M. Lozano;Sherwood Parker;G. Pellegrini;A. Summanwar
通讯作者：
A. Summanwar
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10.1109/nssmic.2011.6154102
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2011
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2011 IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record
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--
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通讯作者：
N. Zorzi
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DOI：
10.1016/j.nima.2009.03.049
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--
作者：
Da Viá C
通讯作者：
Da Viá C
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作者：
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Kohler M