Increased electrical conduction in anti-ThCr2Si2-type La2O2Bi with Bi square net via oxygen intercalation and hole doping
Increased electrical conduction in anti-ThCr2Si2-type La2O2Bi with Bi square net via oxygen intercalation and hole doping
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通过氧插层和空穴掺杂增强 Bi 方网抗 ThCr2Si2 型 La2O2Bi 的导电性
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Fukumura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Matsumoto;H. Kawasoko;and T. Fukumura
影响因子：
4
作者：
Matsumoto, Kota;Kawasoko, Hideyuki;Fukumura, Tomoteru
通讯作者：
Fukumura, Tomoteru
影响因子：
16.6
作者：
Borisenko, Sergey;Evtushinsky, Daniil;Cava, Robert J.
通讯作者：
Cava, Robert J.
狄拉克反铁磁体 BaMnSb2 中的体半整数量子霍尔效应
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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作者：
H. Sakai;H. Fujimura;R. Kurihara;A. Miyake;M. Tokunaga;T. Kida;M. Hagiwara;K. Tsuruda;H. Murakawa;and N. Hanasaki
通讯作者：
and N. Hanasaki