Properties of dislocation lines in crystals with strong atomic-scale disorder
Properties of dislocation lines in crystals with strong atomic-scale disorder
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强原子级无序晶体中位错线的性质
DOI：
10.1016/j.msea.2018.10.010
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Zaiser
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. Zhai;M. Zaiser
我们使用离散位错动力学(DDD)来研究位错在强随机力作用下的运动，这种随机力可能导致位错线在与位错核半径相当的尺度上弯曲和粗化。在这种情况下，这种情况可能与表现出强原子尺度无序的高熵合金(HEA)有关，基于线张力近似的标准标度参数可能不再适用，需要考虑标度修正。我们首先研究了热朗之万力作用下位错的漂移。这就产生了一个可以精确求解的线性随机微分方程。从热化位错线的傅里叶模可以直接推导出随尺度变化的有效线张力。然后，我们使用这些信息来研究具有空间、时间无关(猝灭的)无序的晶体中位错的漂移。我们建立了钉扎长度，并展示了如何使用该长度作为流动应力的预测值。讨论了分子动力学模拟对确定HEA中流动应力的意义。
We use discrete dislocation dynamics (DDD) to study the motion of a dislocation under strong stochastic forces that may cause bending and roughening of the dislocation line on scales that are comparable to the dislocation core radius. In such situations, which may be relevant in high entropy alloys (HEAs) exhibiting strong atomic scale disorder, standard scaling arguments based upon a line tension approximation may be no longer adequate and corrections to scaling need to be considered. We first study the wandering of the dislocation under thermal Langevin forces. This leads to a linear stochastic differential equation which can be exactly solved. From the Fourier modes of the thermalized dislocation line we can directly deduce the scale dependent effective line tension. We then use this information to investigate the wandering of a dislocation in a crystal with spatial, time-independent (‘quenched’) disorder. We establish the pinning length and show how this length can be used as a predictor of the flow stress. Implications for the determination of flow stresses in HEAs from molecular dynamics simulations are discussed.
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DOI：
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发表时间：
1993
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. Rönnpagel;Thomas S. J. Streit;T. Pretorius
通讯作者：
T. Pretorius
位错-缺陷相互作用的随机位错动力学：多尺度建模方法
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Hiratani;H. Zbib
通讯作者：
H. Zbib
随机固溶体中的位错运动
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Zaiser
通讯作者：
M. Zaiser
动力学表面粗糙化。
DOI：
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发表时间：
1992
期刊：
Physical Review A. Atomic, Molecular, and Optical Physics
影响因子：
--
作者：
Thomas Nattermann;Lei
通讯作者：
Lei
位错-缺陷相互作用和图案化：随机离散位错动力学（SDD）
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Hiratani;H. Zbib
通讯作者：
H. Zbib