Synthesis and growth mechanism of triangular Mn doped CdS nanowires
Synthesis and growth mechanism of triangular Mn doped CdS nanowires
复制标题
三角形Mn掺杂CdS纳米线的合成及生长机理
DOI：
10.1016/j.matlet.2011.05.046
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发表时间：
2011-08
影响因子：
3
通讯作者：
Zou, Bingsuo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yan, Min;Dai, Guozhang;Hu, Song;Zhang, Qinglin;Zou, Bingsuo
以CdS和MnCl2为原料，采用热蒸发法制备了三角形Mn掺杂CdS纳米线。通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪和透射电子显微镜对样品的形貌和结构进行了表征。Mn的浓度在三角形纳米线的合成中起着重要的作用。通过调节MnCl2的加入量，可以使产物的形貌从六方变为三角形。定向附着机制被证明是最合适的机制来解释三角形纳米线的生长过程。光致发光光谱表明，随着MnCl2摩尔比的增加，Mn2+发射峰的强度增加。
Triangular Mn-doped CdS nanowires (NWs) were prepared by thermal evaporation of a mixture of CdS and MnCl2. The morphologies and detailed structures were characterized by a scanning electron microscope, X-ray diffraction, and transmission electron microscope. The Mn concentration plays an important role in synthesis of the triangular NWs. The morphologies can be varied from hexagonal to triangular by adjusting the amount of MnCl2in the reaction mixture. The oriented attachment mechanism is demonstrated to be the most suitable mechanism to explain the growth process of the triangular NWs. The photoluminescence shows the intensity of Mn2+emission peak increases as the molar ratio of MnCl2increases.
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