Syozo Imai: Jpn. J. Appl. Phys.
Syozo Imai: Jpn. J. Appl. Phys.
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今井正三：日本。
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
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作者：
影响因子：
3.2
作者：
Aschenbrenner, T.;Dartsch, H.;Hommel, D.
通讯作者：
Hommel, D.
与蓝宝石上生长的 c 面 GaN 几乎晶格匹配的约 300 nm 厚的 AlInN 薄膜的外延生长和表征
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Miyoshi;M. Yamanaka;T. Egawa;T. Takeuchi
通讯作者：
T. Takeuchi