Semiconductor Disk Lasers: Recent Advances in Generation of Yellow-Orange and Mid-IR Radiation
Semiconductor Disk Lasers: Recent Advances in Generation of Yellow-Orange and Mid-IR Radiation
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半导体盘激光器：黄橙色和中红外辐射产生的最新进展
DOI：
10.1155/2012/265010
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
S. Suomalainen
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Guina;A. Härkönen;Ville‐Markus Korpijärvi;T. Leinonen;S. Suomalainen
本文综述了产生黄橙和中红外辐射的半导体圆盘激光器（SDLs）的最新进展。我们特别关注高功率GaInNAs和gasb增益镜的制造挑战和特性。这两种材料系统最近引发了一波新的兴趣，即开发用于医学，光谱学或天文学中高影响力应用的sdl。稀氮化物（GaInNAs）增益反射镜可以在1180 - 1200nm波长范围内发射超过11w的输出功率，随后腔内频率翻倍，产生功率超过7w的黄橙色辐射。GaSb增益镜已被用于利用sdl在2-3 μm波长范围内提供的优势。最近，结合半导体可饱和吸收镜的基于gasb的sdl被用于在2 μm处产生短至384 fs的光脉冲，这是在该波长范围内从半导体激光器获得的最短脉冲。
We review the recent advances in the development of semiconductor disk lasers (SDLs) producing yellow-orange and mid-IR radiation. In particular, we focus on presenting the fabrication challenges and characteristics of high-power GaInNAs- and GaSb-based gain mirrors. These two material systems have recently sparked a new wave of interest in developing SDLs for high-impact applications in medicine, spectroscopy, or astronomy. The dilute nitride (GaInNAs) gain mirrors enable emission of more than 11 W of output power at a wavelength range of 1180–1200 nm and subsequent intracavity frequency doubling to generate yellow-orange radiation with power exceeding 7 W. The GaSb gain mirrors have been used to leverage the advantages offered by SDLs to the 2–3 μm wavelength range. Most recently, GaSb-based SDLs incorporating semiconductor saturable absorber mirrors were used to generate optical pulses as short as 384 fs at 2 μm, the shortest pulses obtained from a semiconductor laser at this wavelength range.
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