InAs MOS-HEMT power detector for 1.0 THz on quartz glass
InAs MOS-HEMT power detector for 1.0 THz on quartz glass
复制标题
石英玻璃上 1.0 THz InAs MOS-HEMT 功率探测器
DOI：
10.1109/edtm.2017.7947562
复制
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Maeda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
E. Kume;H. Ishii;H. Hattori;W. Chang;M. Ogura;H. Kanaya;T. Asano;T. Maeda
在室温下，使用InAs MOS-HEMT作为无偏置（冷）FET功率检测器，在1.0 THz处检测太赫兹波。采用直接键合技术在石英玻璃衬底上制作了太赫兹功率探测器。1.0 THz信号功率通过GSG THz探针直接输入到MOS-HEMT探测器的漏极耦合栅端。在-0.4 V的偏置电压下实现了约60 V/W的高响应度。
Terahertz wave was detected in 1.0 THz using InAs MOS-HEMT as a non-biased (cold) FET power detector at room temperature. Terahertz power detector was fabricated on quartz glass substrate by direct-wafer-bonding technique. 1.0 THz signal power was directly input to the gate terminal with drain coupling in MOS-HEMT detector through the GSG THz probe. The high responsivity of around 60 V/W was achieved at the bias voltage of −0.4 V.
DOI：
10.1007/s10762-009-9564-9
发表时间：
2009-12-01
影响因子：
2.9
作者：
Knap, Wojciech;Dyakonov, Mikhail;Otsuji, Taiichi
通讯作者：
Otsuji, Taiichi