Critical thickness of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in GaSb/GaAs(001) quantum dot growth
Critical thickness of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in GaSb/GaAs(001) quantum dot growth
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GaSb/GaAs(001)量子点生长中二维到三维转变的临界厚度
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2011.10.037
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发表时间：
2012
影响因子：
1.8
通讯作者：
M. Dähne
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Eisele;M. Dähne
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通讯作者：
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通讯作者：
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