Potentiometric Measurements of Semiconductor Nanocrystal Redox Potentials.
Potentiometric Measurements of Semiconductor Nanocrystal Redox Potentials.
复制标题
半导体纳米晶氧化还原电位的电位测量值。
DOI：
10.1021/jacs.6b00936
复制
发表时间：
2016-04-06
影响因子：
15
通讯作者：
Gamelin DR
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Carroll GM;Brozek CK;Hartstein KH;Tsui EY;Gamelin DR
介绍了一种测定胶体半导体纳米晶氧化还原电位的电位法。费米能级的胶体氧化锌纳米碳在光掺杂过程中原位测量，允许相关的NC氧化还原电位和还原水平。电化学和光学氧化还原指示剂的方法之间的良好的协议。电位法也报道了胶体CdSe NC，这表明更多的负导带边电位比在ZnO。这种差异是突出的自发电子转移从还原的CdSe纳米粒子到ZnO纳米粒子在溶液中，电位法提供了一个测量的NC间电子转移驱动力。对数控电位法的应用前景作了简要的讨论。
A potentiometric method for measuring redox potentials of colloidal semiconductor nanocrystals (NCs) is described. Fermi levels of colloidal ZnO NCs are measured in situ during photodoping, allowing correlation of NC redox potentials and reduction levels. Excellent agreement is found between electrochemical and optical redox-indicator methods. Potentiometry is also reported for colloidal CdSe NCs, which show more negative conduction-band-edge potentials than in ZnO. This difference is highlighted by spontaneous electron transfer from reduced CdSe NCs to ZnO NCs in solution, with potentiometry providing a measure of the inter-NC electron-transfer driving force. Future applications of NC potentiometry are briefly discussed.
登录
查看更多内容
影响因子：
41.2
作者：
Chuang, Chia-Hao M.;Brown, Patrick R.;Bulovic, Vladimir;Bawendi, Moungi G.
通讯作者：
Bawendi, Moungi G.
影响因子：
8.6
作者：
Liu, William K.;Whitaker, Kelly M.;Gamelin, Daniel R.
通讯作者：
Gamelin, Daniel R.
影响因子：
3.3
作者：
Shim, M;Wang, CJ;Guyot-Sionnest, P
通讯作者：
Guyot-Sionnest, P
影响因子：
8.4
作者：
Scanlon MD;Peljo P;Méndez MA;Smirnov E;Girault HH
通讯作者：
Girault HH
影响因子：
17.1
作者：
Frederick, Matthew T.;Weiss, Emily A.
通讯作者：
Weiss, Emily A.