Photoluminescience evaluation of defects generated during SiGe-on-insulator virtual substrate fabrication : Temperature ramping process
Photoluminescience evaluation of defects generated during SiGe-on-insulator virtual substrate fabrication : Temperature ramping process
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绝缘体上 SiGe 虚拟衬底制造过程中产生的缺陷的光致发光科学评估：升温过程
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Nakamae
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D.Wang;S.Ii;H.Nakashima;K.Ikeda;H.Nakashima;K.Matsumoto;M.Nakamae
SiGe 基异质结构中应变诱导结构改性的光学表征
影响因子：
3.2
作者：
N. Usami;K. Leo;Y. Shiraki
通讯作者：
Y. Shiraki
用于高迁移率通道 CMOS 器件的采用 Ge 凝聚技术制造的绝缘体上 SiGe 和绝缘体上 Ge 衬底
DOI：
10.1557/proc-809-b2.1
发表时间：
2004
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
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作者：
T. Tezuka;T. Mizuno;N. Sugiyama;S. Nakaharai;Y. Moriyama;K. Usuda;T. Numata;N. Hirashita;T. Maeda;S. Takagi;Y. Miyamura;E. Toyoda
通讯作者：
E. Toyoda