Growth of ferroelectric PbZrxTi1−xO3 thin films by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
Growth of ferroelectric PbZrxTi1−xO3 thin films by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
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通过金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 生长铁电 PbZrxTi1−xO3 薄膜
DOI：
10.1016/s0022-0248(01)01968-6
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发表时间：
2002
影响因子：
1.8
通讯作者：
K. Honda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Shimizu;H. Fujisawa;H. Niu;K. Honda
使用 Ir 前驱体通过金属有机化学气相沉积法制备 Ir 基电极
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys. 45
影响因子：
--
作者：
Eiji Higurashi;Yuichiro Tokuda;Masatake Akaike;and Tadatomo Suga;清水 勝;M.Shimizu;H.Fujisawa et al.;清水 勝;H.Fujisawa;H.Fujisawa
通讯作者：
H.Fujisawa