Large area growth of few-layer In2Te3 films by chemical vapor deposition and its magnetoresistance properties
Large area growth of few-layer In2Te3 films by chemical vapor deposition and its magnetoresistance properties
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化学气相沉积法大面积生长少层In2Te3薄膜及其磁阻性能
DOI：
10.1038/s41598-019-47520-x
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发表时间：
2019-07
影响因子：
4.6
通讯作者：
Chang Haixin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Shaohui;Zhang Jingyang;Liu Baosheng;Jia Xiaobo;Wang Guofu;Chang Haixin
In this work we report a facile route to grow large area, uniform, continuous and few-layer α-In2Te3 film via chemical vapor deposition (CVD) methods. The characterizations show the large area of CVD-grown few-layer α-In2Te3. This method guarantees the pr
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影响因子：
1
作者：
R. Sathyamoorthy;P. Matheswaran;K. Asokan
通讯作者：
R. Sathyamoorthy;P. Matheswaran;K. Asokan
原子薄 WTe2 中的可调谐正负磁阻。
DOI：
10.1021/acs.nanolett.6b04194
发表时间：
2017-01
期刊：
Nano Lett
影响因子：
--
作者：
Zhang Enze;Chen Rui;Huang Ce;Yu Jihai;Zhang Kaitai;Wang Weiyi;Liu Shanshan;Ling Jiwei;Wan Xiangang;Lu Hai-Zhou;Xiu Faxian
通讯作者：
Xiu Faxian
DOI：
10.1016/j.elspec.2009.07.001
发表时间：
2009-12
影响因子：
1.9
作者：
A. Mekki;G. D. Khattak;L. Wenger
通讯作者：
A. Mekki;G. D. Khattak;L. Wenger
影响因子：
10.8
作者：
Schwarz S;Dufferwiel S;Walker PM;Withers F;Trichet AA;Sich M;Li F;Chekhovich EA;Borisenko DN;Kolesnikov NN;Novoselov KS;Skolnick MS;Smith JM;Krizhanovskii DN;Tartakovskii AI
通讯作者：
Tartakovskii AI
影响因子：
4.6
作者：
M. Emziane;J. Bernède;J. Ouerfelli;H. Essaidi;A. Barreau
通讯作者：
M. Emziane;J. Bernède;J. Ouerfelli;H. Essaidi;A. Barreau