Great influence of the oxygen vacancies on the ferromagnetism in the Co-doped ZnO films
Great influence of the oxygen vacancies on the ferromagnetism in the Co-doped ZnO films
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氧空位对Co掺杂ZnO薄膜铁磁性的影响
DOI：
10.1016/j.apsusc.2007.02.014
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发表时间：
2007-06
影响因子：
6.7
通讯作者：
Deliang Zhu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bao Huang;Xiaocui Ma;Deliang Zhu
采用亚分子掺杂技术在硅衬底上交替溅射钴和氧化锌，制备了掺钴氧化锌(ZCO)薄膜。然后对制备的ZCO薄膜在不同温度下进行了热处理，研究了薄膜的铁磁性随退火温度的变化规律。结果表明，样品的饱和磁化强度随退火温度的升高而减小。这可能是由于随退火温度的升高，氧空位减少所致。
The ZCO (Co-doped ZnO) films were prepared by using submolecule-doping technique, where the magnetic sputtering of Co and ZnO were alternatively performed onto silicon substrates. The prepared ZCO films were then annealed at different temperatures, and the dependence of the ferromagnetism on annealing temperature was studied. It is found that the saturation magnetization of our samples decreases with the increase of annealing temperature. This behavior is possibly due to the decrease of oxygen vacancies with the increase of the annealing temperature.
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