SiC (000-1)上B4C薄膜のエピタキシャル成長
SiC (000-1)上B4C薄膜のエピタキシャル成長
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SiC 上外延生长 B4C 薄膜 (000-1)
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
楠美智子
中科院分区：
文献类型：
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作者：
増森淳史;乗松航;楠美智子
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C面4H-SiC外延片彗星状缺陷的电子显微镜表征
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Yamashita;H. Matsuhata;T. Sekiguchi;K. Momose;H. Osawa;M. Kitabatake
通讯作者：
M. Kitabatake
150 A SiC V 型槽沟槽栅极 MOSFET，芯片尺寸为 6 × 6 mm2，位于 150 mm C 面内部外延晶圆上
影响因子：
1.5
作者：
Y. Saitoh;H. Itoh;K. Wada;M. Sakai;Taku Horii;K. Hiratsuka;So Tanaka;Y. Mikamura
通讯作者：
Y. Mikamura
4H-SiC外延CVD反应器副产物有害影响的影响及抑制
影响因子：
2.7
作者：
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通讯作者：
Yoshikazu Moriyama
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影响因子：
1.8
作者：
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通讯作者：
Li Zhonghui