150 A SiC V-groove trench gate MOSFET with 6 × 6 mm2 chip size on a 150 mm C-face in-house epitaxial wafer
150 A SiC V-groove trench gate MOSFET with 6 × 6 mm2 chip size on a 150 mm C-face in-house epitaxial wafer
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150 A SiC V 型槽沟槽栅极 MOSFET，芯片尺寸为 6 × 6 mm2，位于 150 mm C 面内部外延晶圆上
DOI：
10.7567/jjap.55.04er05
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发表时间：
2016
影响因子：
1.5
通讯作者：
Y. Mikamura
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Saitoh;H. Itoh;K. Wada;M. Sakai;Taku Horii;K. Hiratsuka;So Tanaka;Y. Mikamura
报道了SiCV型槽栅MOSFET(VMOSFET)的大电流和高速开关特性的成功演示。用6×6mm2封装的单片芯片实现了150A的漏极电流(Vds=2V和Vgs=18V)和960V的击穿电压。此外，还获得了tr=81 ns和tf=32 ns的短开关时间。由于漂移层载流子浓度的特性，在直径为150 mm的晶片上实现高成品率、高度均匀的VMOSFET的内部外延生长技术也是关键之一。
We report the successful demonstration of large current and high-speed switching properties of SiC V-groove trench gate MOSFETs (VMOSFETs). A drain current of 150 A (at VDS = 2 V and VGS = 18 V) and breakdown voltage of 960 V were achieved from a packaged 6 × 6 mm2 single chip. Moreover, short switching times of tr = 81 ns and tf = 32 ns were also obtained. To fabricate such VMOSFETs with high yield, highly uniform in-house epitaxial growth technology on a 150-mm-diameter wafer is also one of the keys, owing to its characteristic dependence on drift layer carrier concentration.
影响因子：
3.2
作者：
Kawahara, Koutarou;Krieger, Michael;Kimoto, Tsunenobu
通讯作者：
Kimoto, Tsunenobu
在 8° 偏离衬底上制造的 4H-SiC 金属氧化物半导体场效应晶体管中沟槽侧壁上的异常各向异性沟道迁移率
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
Appl. Phys. Lett. 90・4
影响因子：
--
作者：
M.Hayashibe;N.Suzuki;N.Nakata;A.Hattori;K.Konishi;M.Hashizume;奥井登志子;井上昌睦 他;K.Koyanagi et al.;M.Inoue et al.;S.Koyanagi et al.;Hiroyuki Naoi;H.Yano
通讯作者：
H.Yano
DOI：
10.1143/jjap.44.1213
发表时间：
2005-03-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
Kimoto, T;Kanzaki, Y;Matsunami, H
通讯作者：
Matsunami, H