GaAsSbN for Multi-Junction Solar Cells

GaAsSbN for Multi-Junction Solar Cells
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用于多结太阳能电池的 GaAsSbN

DOI:
10.1109/pvsc45281.2020.9300524
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发表时间:
2020
期刊:
--
影响因子:
--
通讯作者:
Mumtaz A
Mumtaz A
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
Mumtaz A

文献摘要

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根据详细的平衡极限,多结太阳能电池应该能够实现50%以上的效率。为了超越当前的技术水平,有必要研究新材料。在这项工作中,我们评估了 GaAsSbN 的使用,它在多结太阳能电池方面显示出了前景,特别是针对 1eV 电池。这项工作中这种材料的外延生长是通过液相外延实现的,因为它可以产生高质量的晶体层。我们展示了 GaAsSbN 层的初始生长和表征结果。还展示了将该材料纳入太阳能电池的结果。
Multi-junction solar cells, according to the detailed balance limit, should be able to achieve efficiencies above 50 percent. Work on new materials is necessary for improvements beyond the current state of the art. In this work, we evaluate the use of GaAsSbN, which has shown promise for multi-junction solar cells, particularly targeting the 1eV cell. Epitaxial growth of this material in this work has been achieved via liquid phase epitaxy, as it can produce high quality crystalline layers. We present our initial growth and characterization results of a GaAsSbN layer. Also presented are results showing the incorporation of this material in a solar cell.
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