Stimulated Emission Depletion Spectroscopy of Color Centers in Hexagonal Boron Nitride.
Stimulated Emission Depletion Spectroscopy of Color Centers in Hexagonal Boron Nitride.
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DOI：
10.1021/acsphotonics.0c01917
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发表时间：
2021-04-21
期刊：
影响因子：
7
通讯作者：
Luxmoore IJ
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Malein RNE;Khatri P;Ramsay AJ;Luxmoore IJ
我们演示了使用受激发射耗尽（STED）光谱映射的电子光学声子边带的基态的辐射跃迁的色中心在六方氮化硼发射在2.0-2.2 eV，与面内线性偏振。的测量相比，光致发光的激发（PLE）光谱，映射的电子光学声子边带的激发态。主要的质的区别是红移的纵向光学声子峰与E1 u对称性的区域中心。我们将我们的结果与hBN中不同缺陷种类的理论工作进行比较，发现它们与碳基缺陷一致。
We demonstrate the use of Stimulated Emission Depletion (STED) spectroscopy to map the electron-optical-phonon sideband of the ground state of the radiative transition of color centers in hexagonal boron nitride emitting at 2.0–2.2 eV, with in-plane linear polarization. The measurements are compared to photoluminescence of excitation (PLE) spectra that maps the electron-optical-phonon sideband of the excited state. The main qualitative difference is a red-shift in the longitudinal optical phonon peak associated with E1u symmetry at the zone center. We compare our results to theoretical work on different defect species in hBN and find they are consistent with a carbon-based defect.
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