Control of strain relaxation behavior of Ge_<1-x>Sn_x buffer layers
Control of strain relaxation behavior of Ge_<1-x>Sn_x buffer layers
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Ge_<1-x>Sn_x缓冲层应变弛豫行为的控制
作者：
J.Demeulemeester;et al;志村洋介
通过蒙特卡罗模拟研究锗 MOSFET 反型层中的载流子有效迁移率
影响因子：
1.7
作者：
Z. Xia;G. Du;Xiaoyan Liu;Jinfeng Kang;R. Han
通讯作者：
R. Han
影响因子：
1.6
作者：
Chroneos, A.
通讯作者：
Chroneos, A.