Interface Structures of Graphene-on-SiC Produced by the SiC Surface Decomposition Method
Interface Structures of Graphene-on-SiC Produced by the SiC Surface Decomposition Method
复制标题
SiC表面分解法制备SiC基石墨烯的界面结构
DOI：
10.5940/jcrsj.51.313
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Kusunoki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
W. Norimatsu;M. Kusunoki
利用高分辨透射电子显微镜对石墨烯与SiC（0001）界面的原子尺度结构进行了研究。我们的分析揭示了两种类型的界面结构的存在下，一个是由三个SiC双层的分解形成的，另一个是由一个SiC双层。还描述了石墨烯层在SiC上的形成过程。
Atomic-scale structure of the interface between graphene and SiC(0001) has been investigated using high-resolution transmission electron microscope observation. Our analysis revealed the presence of two types of the interface structure ; one is formed by decomposition of three SiC bilayers, and the other is formed by that of one SiC bilayer. Formation process of graphene layers on SiC is also described.
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