Low Temperature Deposition of Bi_4Ti_3O_<12>-Based Ferroelectric Thin Films Using Site Engineering Concept
Low Temperature Deposition of Bi_4Ti_3O_<12>-Based Ferroelectric Thin Films Using Site Engineering Concept
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利用现场工程概念低温沉积Bi_4Ti_3O_<12>基铁电薄膜
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Osada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Funakubo;T.Sakai;T.Watanabe;T.Kojima;Y.Noguchi;M.Miyayama;M.Osada
采用化学溶液沉积法制备 V 取代 (Bi, M)4Ti3O12 [M = 镧系元素] 薄膜
DOI：
10.1557/proc-688-c2.3.1
发表时间：
2001
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
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作者：
H. Uchida;H. Yoshikawa;I. Okada;H. Matsuda;T. Iijima;T. Watanabe;H. Funakubo
通讯作者：
H. Funakubo
金属有机化学气相沉积法在各类基底上制备Bi4Ti3O12基铁电薄膜的取向
影响因子：
1.8
作者：
Takayuki Watanabe;K. Saito;H. Funakubo
通讯作者：
H. Funakubo
用于 FET 型铁电存储器应用的 Pt/(Bi, La)4Ti3O12/Si3N4/Si 金属铁电绝缘体半导体结构的制造和表征
DOI：
10.1143/jjap.40.2977
发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Kijima;Y. Fujisaki;H. Ishiwara
通讯作者：
H. Ishiwara