The Role of High-Doped Source and Drain on Device Performance in Nano-Scale Si-MOSFETs
The Role of High-Doped Source and Drain on Device Performance in Nano-Scale Si-MOSFETs
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高掺杂源极和漏极对纳米级 Si-MOSFET 器件性能的作用
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
(INVITED) N. Sano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ryota Suzuki;Kohei Yoshimoto;Laurent Decosterd;Yasuhiko Ishikawa;Kazumi Wada;(INVITED) N. Sano
纳米级半导体结构中的准弹道输运动力学：室温下可以达到弹道极限吗？
影响因子：
8.6
作者：
N. Sano
通讯作者：
N. Sano