Investigation of the Critical Currents in Thin-Film MoGe Devices
Investigation of the Critical Currents in Thin-Film MoGe Devices
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薄膜 MoGe 器件中临界电流的研究
DOI：
10.1109/tasc.2023.3343324
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发表时间：
2024
影响因子：
1.8
通讯作者：
Ketterson, John B.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Nevirkovets, Ivan P.;Grudichak, Scott T.;Belogolovskii, Mikhail;Ketterson, John B.
基于非晶MoGe的约瑟夫森结：在超导电子学中的应用前景
影响因子：
3.6
作者：
I. Nevirkovets;M. Belogolovskii;J. Ketterson
通讯作者：
J. Ketterson
影响因子：
3.7
作者：
Grimaldi, G.;Leo, A.;Silhanek, A. V.
通讯作者：
Silhanek, A. V.