Current limiting effects of photoactivated charge domain in semi-insulating GaAs photoconductive switch
Current limiting effects of photoactivated charge domain in semi-insulating GaAs photoconductive switch
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半绝缘GaAs光电导开关中光激活电荷域的限流效应
DOI：
10.1063/1.3086886
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发表时间：
2009-02
影响因子：
4
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
光激活电荷畴（PACD）在半绝缘GaAs和GaAs光导开关的非线性模式中起着重要作用。本文讨论了光激活电荷畴的形成和输运过程，指出是屏蔽电场导致了PACD的独特分布和演化规律。PACD通过其屏蔽效应限制光电导体中的空间电荷电流和光电导开关的输出电流。
The photoactivated charge domain (PACD) plays an important role in the nonlinear modes of semi-insulating GaAs and LnP photoconductive switches. The formation and transporting process of photoactivated charge domain are discussed in this paper, which indicate that it is the shielded electric field that induced the unique distribution and evolution law of the PACD. The PACD restricts space-charge current in the photoconductor and the output current of the photoconductive switch by its shielded effect.
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高增益光电导开关中的光子激活电荷域
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
Chinese Optics Letters. 1(9) .
影响因子：
--
作者：
施卫;戴慧莹;孙小卫
通讯作者：
孙小卫
DOI：
10.1088/0022-3727/41/11/115107
发表时间：
2008-06
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
Liqiang Tian;W. Shi
通讯作者：
Liqiang Tian;W. Shi
影响因子：
3.7
作者：
J. Cao;X. Lei
通讯作者：
J. Cao;X. Lei
影响因子：
4
作者：
Junsong Cao;X. Lei;Aizhen Li;H. Liu
通讯作者：
Junsong Cao;X. Lei;Aizhen Li;H. Liu
影响因子：
3.5
作者：
Shi Wei;Er-Zhu Chen;Xian-Bin Zhang;Li Qi
通讯作者：
Shi Wei;Er-Zhu Chen;Xian-Bin Zhang;Li Qi