SiGe heterojunction bipolar transistor technology for sub-mm-wave electronics — state-of-the-art and future prospects
SiGe heterojunction bipolar transistor technology for sub-mm-wave electronics — state-of-the-art and future prospects
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用于亚毫米波电子器件的 SiGe 异质结双极晶体管技术 â 最新技术和未来前景
DOI：
10.1109/sirf.2018.8304230
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Pawlak
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Schröter;A. Pawlak
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
2008 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
影响因子：
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作者：
U. Pfeiffer;E. Öjefors;A. Lisauskas;H. Roskos
通讯作者：
H. Roskos
宽带达林顿放大器作为毫米波频率下紧凑模型验证的简单基准电路
DOI：
10.1109/bctm.2016.7738952
发表时间：
2016
期刊：
2016 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM)
影响因子：
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作者：
A. Mukherjee;Chenye Lin;M. Schroter
通讯作者：
M. Schroter