Hysteresis mechanism in low-voltage and high mobility pentacene thin-film transistors with polyvinyl alcohol dielectric
Hysteresis mechanism in low-voltage and high mobility pentacene thin-film transistors with polyvinyl alcohol dielectric
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聚乙烯醇电介质低压高迁移率并五苯薄膜晶体管的磁滞机制
DOI：
10.1063/1.4737173
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发表时间：
2012-07
影响因子：
4
通讯作者：
Yang, Yudan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, Wei;Ma, Dongge;Pan, Su;Yang, Yudan
本文研究了以聚乙烯醇（PVA）为栅介质的有机薄膜晶体管（OTFT）的迟滞机理。通过检查OTFT与阻挡聚合物层之间的栅极和PVA或通道和PVA，我们确认的滞后的起源是由注入的空穴从栅极和/或从通道和被困在界面的并五苯/PVA和PVA体。提出了一种减小迟滞的方法。因此，并五苯OTFT的自由滞后和1.8厘米2/Vs的高迁移率是通过在低工作电压的三层聚合物电介质实现的。
In this letter, the hysteresis mechanism of organic thin-film transistors (OTFTs) with polyvinyl alcohol (PVA) as gate dielectric is studied. By examining OTFTs with a blocking polymer layer between gate and PVA or between channel and PVA, we confirm that the origin of the hysteresis is caused by the holes injected from the gate and/or from the channel and trapped in the interface of pentacene/PVA and the PVA bulk. A method is proposed to reduce the hysteresis. As a result, a pentacene OTFT with free-hysteresis and high mobility of 1.8 cm2/Vs is achieved by a triple-layer polymer dielectric at low-operating voltages.
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DOI：
10.1016/j.mejo.2006.10.010
发表时间：
2007
期刊：
Microelectron. J.
影响因子：
--
作者：
Wei Wang;Jiawei Shi;Wenhai Jiang;Shuxu Guo;Hongmei Zhang;B. Quan;Dongge Ma
通讯作者：
Wei Wang;Jiawei Shi;Wenhai Jiang;Shuxu Guo;Hongmei Zhang;B. Quan;Dongge Ma
影响因子：
4
作者：
Lee, Cheon An;Park, Dong Wook;Park, Byung-Gook
通讯作者：
Park, Byung-Gook
影响因子：
4
作者：
Yanming Sun;Yunqi Liu;Yongqiang Ma;Chong‐an Di;Ying Wang;Weiping Wu;G. Yu;Wenping Hu;Daoben Zh
通讯作者：
Yanming Sun;Yunqi Liu;Yongqiang Ma;Chong‐an Di;Ying Wang;Weiping Wu;G. Yu;Wenping Hu;Daoben Zh
影响因子：
4.6
作者：
P. Frübing;M. Wegener;R. Gerhard-Multhaupt;A. Buchsteiner;W. Neumann;L. Brehmer
通讯作者：
P. Frübing;M. Wegener;R. Gerhard-Multhaupt;A. Buchsteiner;W. Neumann;L. Brehmer
影响因子：
3
作者：
K. Lakshminarayana;Y. Dasaradhudu;V. Rao
通讯作者：
K. Lakshminarayana;Y. Dasaradhudu;V. Rao