Silicon Nitride as Top Gate Dielectric for Epitaxial Graphene
Silicon Nitride as Top Gate Dielectric for Epitaxial Graphene
复制标题
氮化硅作为外延石墨烯的顶栅电介质
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.149
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Th. Seyller
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
P. Wehrfritz;F. Fromm;S. Malzer;Th. Seyller
离轴 4H-SiC 上外延石墨烯的微米级和纳米级电学表征 (0001)
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.637
发表时间：
2012
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
F. Giannazzo;C. Bongiorno;S. Di Franco;E. Rimini;V. Raineri
通讯作者：
V. Raineri