Deposition-last lithographically defined epitaxial complex oxide devices on Si(100)
Deposition-last lithographically defined epitaxial complex oxide devices on Si(100)
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Si(100) 上最后沉积光刻定义的外延复合氧化物器件
DOI：
10.1116/6.0001939
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发表时间：
2022
影响因子：
2.9
通讯作者：
Ngai, J. H.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chrysler, M.;Jiang, J. C.;Lorkowski, G.;Meletis, E. I.;Ngai, J. H.
使用 CeO2 模板对 SrTiO3 基异质结构中的二维电子系统进行图案化
影响因子：
1.6
作者：
D. Fuchs;K. Wolff;R. Schäfer;R. Thelen;M. Le Tacon;R. Schneider
通讯作者：
R. Schneider
使用 Sr 或 SrO 清洁 Si(100) 表面以生长晶体 SrTiO3 薄膜的机制
影响因子：
1.4
作者：
Yi Wei;Xiaoming Hu;Yong Liang;D. C. Jordan;B. Craigo;R. Droopad;Z. Yu;A. Demkov;J. Edwards;W. Ooms
通讯作者：
W. Ooms
通过湿法蚀刻技术在硅上悬浮单晶氧化物结构：氧空位和位错对蚀刻速率的影响
影响因子：
2.9
作者：
Lim, Zheng Hui;Chrysler, Matthew;Kumar, Abinash;Mauthe, Jacob P.;Kumah, Divine P.;Richardson, Chris;LeBeau, James M.;Ngai, Joseph H.
通讯作者：
Ngai, Joseph H.