CrN thin films with ultra-low magnetoresistance prepared via solution processing for large-area applications
CrN thin films with ultra-low magnetoresistance prepared via solution processing for large-area applications
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通过溶液加工制备具有超低磁阻的CrN薄膜，用于大面积应用
DOI：
10.1016/j.jallcom.2016.12.048
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发表时间：
2017-03
影响因子：
6.2
通讯作者：
Yuping Sun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhenzhen Hui;Qiumin Meng;Renhuai Wei;Xianwu Tang;Xiangde Zhu;Zhengrong Ouyang;Jianming Dai;Wenhai Song;Hongmei Luo;Xuebin Zhu;Yuping Sun
CrN薄膜在许多应用中是通用的。开发一种简单易行的低成本大面积CrN薄膜制备方法无疑将推动CrN应用的技术进步。在这项工作中，CrN薄膜制备的化学溶液沉积工艺的大面积应用。电输运性质进行了研究，表现出类似超导体的性质。在CrN薄膜中观察到低温下高磁场下的磁电阻，在4.2和2 K下分别显示出-0.14%和-0.10%的超低磁电阻。
CrN thin films are versatile in lots of applications. To develop a facile processing method for large-area CrN thin films with low-cost is unquestionable to improve the technical advances in CrN applications. In this work, CrN thin films are prepared by chemical solution deposition processing for large-area applications. The electrical transport properties are investigated, showing semiconductor-like properties. Magnetoresistance at low temperatures under high magnetic fields is observed in the CrN thin films, showing ultra-low magnetoresistance under 14T of −0.14% and −0.10% at 4.2 and 2 K, respectively.
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影响因子：
3.7
作者：
Inumaru, Kei;Koyama, Kunihiko;Yamanaka, Shoji
通讯作者：
Yamanaka, Shoji
DOI：
10.1039/c5tc03891j
发表时间：
2016-05-14
期刊：
Journal of materials chemistry. C
影响因子：
--
作者：
Eklund P;Kerdsongpanya S;Alling B
通讯作者：
Alling B
DOI：
10.2320/matertrans1989.37.121
发表时间：
1996-02
期刊：
Materials Transactions Jim
影响因子：
--
作者：
Y. Tsuchiya;K. Kosuge;Yasukuni Ikeda;T. Shigematsu;S. Yamaguchi;N. Nakayama
通讯作者：
Y. Tsuchiya;K. Kosuge;Yasukuni Ikeda;T. Shigematsu;S. Yamaguchi;N. Nakayama
影响因子：
6.4
作者：
Z. Hui;Xianwu Tang;D. Shao;R. Wei;Jie Yang;P. Tong;W. Song;Xuebin Zhu;Yuping Sun
通讯作者：
Z. Hui;Xianwu Tang;D. Shao;R. Wei;Jie Yang;P. Tong;W. Song;Xuebin Zhu;Yuping Sun
影响因子：
2.1
作者：
V. Vishnyakov;V. Bachurin;K. F. Minnebaev;R. Valizadeh;D. Teer;J. Colligon;V. Vishnyakov;V. Yurasova
通讯作者：
V. Vishnyakov;V. Bachurin;K. F. Minnebaev;R. Valizadeh;D. Teer;J. Colligon;V. Vishnyakov;V. Yurasova