Comparison of large area and lumped element field-effect transistors for broadband detection of Terahertz

Comparison of large area and lumped element field-effect transistors for broadband detection of Terahertz
复制标题

用于太赫兹宽带检测的大面积场效应晶体管和集总元件场效应晶体管的比较

DOI:
10.1109/irmmw-thz.2017.8066960
复制
发表时间:
2017
期刊:
2017 42nd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)
影响因子:
--
通讯作者:
und S. Preu
und S. Preu
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
S. Regensburger;A. C. Gossard;und S. Preu

文献摘要

参考文献

相似文献

DOI: 10.1063/1.3676211
发表时间: 2012-01-15
影响因子: 3.2
作者:
Preu, S.;Kim, S.;Gossard, A. C.
通讯作者: Gossard, A. C.
DOI: 10.1109/tthz.2015.2482943
发表时间: 2015-11-01
影响因子: 3.2
作者:
Preu, Sascha;Mittendorff, Martin;Penirschke, Andreas
通讯作者: Penirschke, Andreas
使用大面积场效应晶体管进行 0 1 至 22 THz 的宽带太赫兹检测
DOI: 10.1364/oe.23.020732
发表时间: 2015
期刊: Optics express
影响因子: 3.8
作者:
S. Regensburger;M. Mittendorff;S. Winnerl;A.C. Gossard;und S. Preu
通讯作者: und S. Preu