THz characterization of GeSn monocrystalline thin films
THz characterization of GeSn monocrystalline thin films
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GeSn 单晶薄膜的太赫兹表征
DOI：
10.1109/irmmw-thz50927.2022.9895959
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Liu X
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liu X
使用其他第四类材料，如锗和锡的合金，为克服硅的间接带隙引起的效率限制提供了一种解决方案。通过使用太赫兹光谱，由于没有电接触，可以非侵入性地提取光电性质，如导电性、迁移率、载流子寿命。在本工作中，我们利用光学泵浦-太赫兹探测(OPTP)光谱技术研究了不同锡含量的GeSn合金薄膜样品的光电导寿命和迁移率。结果表明，这些薄膜在纳秒时间尺度上的光电导寿命和载流子迁移率在40~210cm2/(Vs)的范围内，突出了这些薄膜在器件应用中的前景。
The employment of other group IV materials, such as alloys of germanium and tin, poses a solution for overcoming the efficiency limit of silicon that arises from its indirect bandgap. By using THz spectroscopy, the optoelectronic properties, such as conductivity, mobility, carrier lifetime, can be extracted non-invasively, since there is no electrical contact. In this work, we use optical pump-THz probe (OPTP) spectroscopy to examine the photoconductivity lifetime and mobility of GeSn alloy thin film samples with different Sn concentration. The results demonstrate photoconductivity lifetimes on nanosecond timescales and carrier mobilities in range of 40~210cm2/(Vs), highlighting the promise of these thin films in device applications.
用于红外光电探测的共溅射单晶 GeSn
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
Scalable Uncertainty Management
影响因子：
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作者：
A. Giunto;Nicolas Humblot;L. Burnier;A. Krammer;A. Schüler;A. Fontcuberta i Morral
通讯作者：
A. Fontcuberta i Morral
影响因子：
3.2
作者：
Tran, Huong;Du, Wei;Yu, Shui-Qing
通讯作者：
Yu, Shui-Qing